Особенности лазерной резки фанеры

Особенности лазерной резки фанеры

Фанера, сегодня представляет собой один из удобных и весьма востребованных материалов, которые широко используются для лазерной резки и гравировки.

Особенности лазерной резки фанеры

Этот многослойный материал изготавливают методом склеивания древесного шпона, в котором слои древесных волокон размещают перпендикулярно друг другу, что обеспечивает повышенную прочность.

Применение

Использование такой современной технологии, лазерная резка по фанере позволяет за довольно короткое время создавать высококачественные рисунки.

Особенности лазерной резки фанеры

Лазер существенно снижает до минимума все затраты по обработке материала и позволяет воплощать в реальность оригинальные дизайнерские идеи.

Особенности лазерной резки фанеры

Благодаря этому, фанера активно используется в таких сферах, как:

  • строительство;
  • производство мебельной фурнитуры;
  • внутренняя отделка помещений;
  • изготовление сувенирной и рекламной продукции;
  • производство украшений и бижутерии;
  • создание небольших произведений искусства.

Преимущества резки фанеры с помощью лазера

Основным инструментом при такой технологии является фокусирующая линза, которая располагается на пути лазерного луча в определенном расстоянии от поверхности обрабатываемой фанеры.

Особенности лазерной резки фанеры

Такое оборудование управляется оператором, регулирующим все параметры работы.

Особенности лазерной резки фанеры

За счет этого сам процесс раскройки очень быстрый и точный, а также обладает массой преимуществ:

  • безотходность процесса изготовления сокращает финансовые затраты;
  • при вырезке образуется идеально ровный, гладкий и не обугленный срез;
  • бесконтактность резки позволяет избежать загрязнения и деформации поверхности изделия;
  • лазерная резка занимает мало места и практически не изнашивается или ломается.

Стоит отметить, что методика резки зависит от свойств фанерного материала, его толщины и качества, а также требований к параметрам конечной продукции.